联系电话：15339537795
810-802902-033 是 LAM Research（泛林半导体） 自研的一块PCB 板卡组件（PCB Assembly）它属于 "Node 2" 控制节点机架内的一块脉冲功率采样 / 保持板（Pulse Power Sample and Hold PCB），负责对刻蚀腔体 RF（射频）发生器输出的脉冲功率波形进行高速采样、保持、测量和反馈，是脉冲等离子刻蚀（Pulsed RF Etch）工艺中功率闭环控制链路里的关键模拟前端板。
制造商：LAM Research
原产地：美国
同系列兄弟件号（同一 "Node 2 MB PM HE" 架构）：
810-802902-034（controller motherboard / 配套主板）
810-802902-035
810-802902-038（control board）
810-802902-208
配套小板 810-800256-207
脉冲 RF 功率波形采样（Sample & Hold）
对脉冲 RF 发生器（pulsed RF generator）在 burst on/off 周期内的瞬时正向 / 反射功率进行高速采样与保持；
在脉冲 "关闭" 窗口内把瞬时电压 / 电流值冻结到保持电容上，供后续 ADC 慢速量化。
RF 正向 / 反向功率测量前端
来自定向耦合器（directional coupler）的 Vforward、Vreverse 模拟信号进入本板；
完成衰减、阻抗匹配、隔离、滤波后送主控节点。
相位 / 阻抗检测辅助
在脉冲功率系统中，常同时采集 RF 电压与电流相位差，用于计算等离子体阻抗（plasma impedance）和 match（匹配器）调谐反馈；本板承担其中一路模拟调理。
Node 2 机架总线接口
板卡通过机箱背板与 Node 2 主控板（810-802902-034 等）通信；
支持热插拔 / 在线更换（按 LAM 设备维护规程）。
高温 / 真空腔邻近环境设计
紧邻刻蚀腔体和 RF 匹配器，抗 EMI、抗 RF 辐射；
板级有三防 / 屏蔽设计。
自检与故障回报
板上具备电源监控、温度监测和关键模拟通道自检；
异常通过节点总线上报到机台 SECS/GEM 日志。
| 项目 | 参数 |
|---|---|
| 板件描述 | Node 2 MB PM HE, Rev A |
| 功能定位 | Pulse Power Sample and Hold PCB |
| 物料号 | 810-802902-033 |
| 版本 | Rev A |
| 制造商 / 产地 | LAM Research / USA（加州） |
| 板类型 | 印制电路板组件（PCB Assy） |
| 应用 | LAM 刻蚀机脉冲 RF 功率采样前端 |
| 配套兄弟板 | 810-802902-034 / -035 / -038 / -208、810-800256-207 |
| 安装方式 | Node 2 控制机箱背板插卡式 |
| 供电 | 由机箱背板供电（通常为 ±15 Vdc / +5 V 模拟电源，24 V 逻辑母线由节点电源板提供） |
| 采样对象 | RF 正向功率、反向功率、V/I 相位（来自定向耦合器） |
| 模拟精度 | 脉冲功率测量链路常规 ±1% 量级（具体由 LAM 校准数据决定） |
| 工作温度 | 机柜内工业级（约 5~40 °C 环境，腔体邻近温度更高） |
| 重量 | 板卡级约 0.3~0.6 kg（含前面板） |
在整机中的位置（典型架构）：
RF Generator (Pulsed, 13.56 MHz 或 27/60 MHz) │ ▼ Directional Coupler（定向耦合器）── Vfwd / Vref / Vph 模拟小信号 │ ▼ [810-802902-033 Pulse Power S&H Board] ← 本板 │ （采样保持 + 调理） ▼ Node 2 主控板（810-802902-034）── ADC / 数字逻辑 │ ▼ 机箱背板 / SECS-GEM / 主机架 │ ▼ 工艺闭环：功率 setpoint ←→ 实际脉冲功率读数
结构优势：
专用 S&H 模拟前端：脉冲 RF 功率在微秒级 on/off，普通 ADC 无法直接跟踪；采样保持电路在脉冲 "开通" 瞬间把模拟量冻结，让 ADC 有充足时间量化，保证脉冲功率幅值和占空比测量准确。
模块化板卡：作为独立 PCB 板，损坏时可单板更换，无需更换整个 Node 2 主控，降低维护成本和停机时间。
紧邻 RF 源布置：缩短高电平模拟信号走线，减少干扰和衰减。
差分 / 屏蔽设计：板上对 RF 小信号采用差分接收和屏蔽罩，抑制来自腔体等离子体的 EMI。
标准化 Node 2 机箱：与兄弟板卡（-034 主控、-035、-038 等）共用机械尺寸和背板连接器，备件可在 Node 2 家族内互换（软件配置除外）。
脉冲 RF 系统背景：现代 LAM 刻蚀机使用脉冲 RF（pulsed bias /source），通过在毫秒 / 微秒级时间尺度上开关 RF 功率，实现更陡的刻蚀剖面、更高选择比。但这种脉冲功率不能用普通工频功率计直接读准。
信号获取：RF 主回路串入定向耦合器，按比例取出 Vforward（正向功率对应电压）和 Vreverse（反射功率对应电压），有时还取电压 / 电流相位差信号。这些是 mV 级的交流小信号。
Sample & Hold 采样：
S&H 电路由模拟开关 + 保持电容构成；
在脉冲 RF "on" 到达稳定幅值的那一刻，逻辑电路给出 SAMPLE 命令，开关闭合，电容快速跟踪输入；
随后进入 HOLD 状态，开关断开，电容把电压值保持下来。
调理与量化：保持住的直流电平经过放大、偏移校准、低通滤波后，由 Node 2 主控板上的 ADC 慢速采样、数字化。
功率计算：主控软件根据 Vfwd、Vref 换算出正向功率、反射功率、驻波比（VSWR）；结合相位差计算等离子体阻抗和 match 调谐误差。
闭环反馈：
实际脉冲功率被回送到 RF 发生器的功率闭环；
若偏差超出门限，机台报警（例如 RF mismatch、reflected power high），必要时降级或终止工艺；
历史波形可被捕获用于工艺诊断（endpoint /process drift 分析）。
| 现象 | 可能原因 | 排查 / 处理 |
|---|---|---|
| 机台报 "Pulse Power Sensor Fault" / "RF Forward Low" | S&H 板采样通道漂移、保持电容老化、模拟开关漏电 | 对比兄弟板互换测试；在 Node 2 自诊断中读通道原始 ADC 值；更换本板 |
| 反射功率（Reflected Power）异常高报警 | 本板 Vref 通道增益漂移、或真的 match 失谐 | 先用校准源检查本板读数；若板正常，检查 RF match、腔体阻抗 |
| 脉冲功率读数与 RF 发生器面板不一致 | S&H 触发时序偏（sample 时刻不对）、或增益系数错 | 核对板上 SAMPLE 触发延迟参数；重新跑 RF 功率校准 |
| 板卡上电后不自检 | 背板连接器接触不良、板上电源（±15V/+5V）异常、保险熔断 | 拔出重插；测背板电源；检查板上保险丝；对比同机箱其他板 |
| 间歇性 RF mismatch /plasma extinction | S&H 板温漂、接插件在热循环下接触不良 | 用热像 / 红外测板温；检查前面板锁紧螺钉；清洁金手指 |
| 更换新板后读数偏差大 | 新板未做通道校准、EEPROM 配置未烧录 | 走 LAM 推荐流程：更换板后执行 RF power calibration，下装该板的校准系数 |
Copyright © 2022-2023 贵州源妙自动化设备有限公司 版权所有 备案号：黔ICP备2022007086号-10
15339537795
