您好,欢迎进入贵州源妙自动化设备有限公司!
源妙自动化
联系电话:15339537795

联系我们

邮箱:2645963284@qq.com
电话:15339537795
地址:贵州省安顺市西秀区北街街道虹山湖路42号虹山大酒店(百灵.希尔顿逸林酒店 )幢14层9号 在线咨询
  • LAM 810-370141-001
  • LAM 810-370141-001

LAM 810-370141-001 高频射频匹配网络模块

  • 高频高精度阻抗匹配与功率传输模块核心采用 “数字控制可变电容 + 高频电感阵列” 架构,配合内置的高频采样电路(采样频率 10MHz),可实时检测射频电源输出端与等离子体负载间的阻抗差异,通过 EtherCAT 实时控制信号驱动内部步进电机调节可变电容参数,将阻抗匹配精度控制在 0.5Ω 以内。例如在硅刻蚀工艺中,当刻蚀腔室通入 CF4/O2 混合气体引发等离子体阻抗从 20Ω 升至 50Ω 时,模块可在 100μs 内完成匹配调节,维持射频功率反射率5%,确保离子轰击能量稳定,避免刻蚀速率波动(波动范围控制在 2% 以内),保障晶圆刻蚀图形的均匀性。...
  • 产品详情

LAM 810-370141-001

I. 概述

LAM 810-370141-001 是半导体制造设备 “射频信号精准匹配 + 等离子体工艺稳定控制” 需求研发的高频射频匹配网络模块,隶属于 LAM 810 系列核心组件,主要配套于 LAM Versys、Kiyo 等主流刻蚀机台,承担 “射频功率传输匹配 + 等离子体阻抗调节 + 工艺状态监测” 核心角色。该模块核心职能是将射频电源输出的高频能量(通常 13.56MHz/27.12MHz)高效匹配至刻蚀腔室等离子体负载,通过实时调节内部电容 / 电感参数,维持等离子体阻抗稳定,确保刻蚀过程中离子密度、轰击能量的一致性,广泛应用于逻辑芯片、存储芯片的硅刻蚀、金属层刻蚀及介质刻蚀等高精度半导体制造工艺。


模块采用 “全密封金属屏蔽外壳 + 高频低损耗电路设计”,防护等级达到 IP54,可在 20°C 至 + 50°C 的洁净车间环境下稳定运行,同时通过 SEMI F47 标准(射频干扰抑制)、IEC 61010-1 电气安全认证,能抵御半导体车间高频电磁干扰、洁净室气流扰动及微量化学腐蚀(如刻蚀尾气残留),为等离子体刻蚀工艺的 “纳米级精度 + 高重复性” 提供保障。其兼容 LAM 设备主控系统(如 LAM C2 Controller),支持通过 EtherCAT 工业以太网实现与设备主控单元的实时数据交互,可无缝融入半导体制造自动化体系,大幅降低因射频匹配异常导致的工艺偏差与晶圆报废风险。


II. 技术参数

参数类别
具体规格
备注
射频核心参数
工作频率:13.56MHz(主频率)、27.12MHz(可选)
适配半导体刻蚀主流射频频段,支持双频协同工作(需设备端配置)

阻抗匹配范围:5Ω-500Ω
覆盖等离子体刻蚀过程中负载阻抗变化区间,匹配精度 ±0.5Ω

射频功率容量:≤1500W(连续波)
支持高功率刻蚀工艺(如深硅刻蚀),功率传输效率≥92%

匹配响应时间:≤100μs
快速跟踪等离子体阻抗突变(如刻蚀终点切换),避免功率反射
电气特性
控制电压:DC 24V±5%(控制回路)、DC 48V±5%(驱动回路)
双电压供电,控制回路与驱动回路电气隔离,避免干扰

控制信号:EtherCAT(实时控制)、RS485(配置与监测)
EtherCAT 通信周期≤1ms,满足实时匹配调节需求

功率反射保护:反射功率≥15% 额定功率时自动降功率
避免反射功率过高损坏射频电源与模块内部元件
物理与环境
外壳材质:铝合金(表面阳极氧化 + 钝化处理)
低射频损耗,抗刻蚀尾气(如 CF4、SF6)微量腐蚀

尺寸:180mm×120mm×65mm(长 × 宽 × 高)
紧凑型设计,适配 LAM 刻蚀机台内部安装空间

重量:约 1.8kg
轻量化结构,便于洁净室安装与维护(需防静电操作)

工作环境:温度 20°C-50°C,湿度 30%-60% RH(无冷凝)
符合半导体洁净室(Class 1000)环境要求

LAM 810-370141-001 .jpg

III. 功能特点

1. 高频高精度阻抗匹配与功率传输

模块核心采用 “数字控制可变电容 + 高频电感阵列” 架构,配合内置的高频采样电路(采样频率 10MHz),可实时检测射频电源输出端与等离子体负载间的阻抗差异,通过 EtherCAT 实时控制信号驱动内部步进电机调节可变电容参数,将阻抗匹配精度控制在 ±0.5Ω 以内。例如在硅刻蚀工艺中,当刻蚀腔室通入 CF4/O2 混合气体引发等离子体阻抗从 20Ω 升至 50Ω 时,模块可在 100μs 内完成匹配调节,维持射频功率反射率≤5%,确保离子轰击能量稳定,避免刻蚀速率波动(波动范围控制在 ±2% 以内),保障晶圆刻蚀图形的均匀性。

2. 多维度工艺状态监测与保护

内置 “射频参数 + 电路状态” 双监测体系:射频层面实时采集入射功率、反射功率、负载阻抗、相位角等参数,通过 RS485 接口上传至设备主控系统,运维人员可远程监控匹配状态(如 “入射功率 1200W,反射功率 30W,阻抗 25Ω”);电路层面监测控制电压、驱动电机电流、内部温度等关键指标,当检测到反射功率≥15%(如腔室漏气导致等离子体熄灭)、驱动电机过流(如机械卡阻)或内部温度≥55°C 时,模块立即触发保护机制 —— 切断射频功率通路、停止电机驱动,并向主控系统发送故障报警信号(包含 “故障类型 + 故障代码 + 发生时间”),避免损坏射频电源或模块元件,同时保护晶圆免受异常工艺影响。

3. 高频屏蔽与抗干扰设计

采用全密封铝合金屏蔽外壳,外壳接地电阻≤1Ω,可有效抑制模块内部高频信号向外辐射(射频辐射≤50dBμV/m),避免干扰晶圆定位系统(如激光干涉仪)、温度传感器等周边精密设备;内部电路采用 “高频接地平面 + 差分信号传输” 设计,控制回路与驱动回路通过光耦隔离(隔离电压 2500V DC),阻断低频干扰对高频匹配电路的影响。例如在双频刻蚀工艺中,27.12MHz 高频信号不会对 13.56MHz 控制信号产生串扰,确保匹配调节的稳定性与精度。

4. 半导体工艺适配与系统兼容性

深度适配 LAM 刻蚀机台工艺需求,支持通过设备主控系统(LAM C2 Controller)加载不同工艺的匹配参数模板(如 “硅刻蚀模板”“介质刻蚀模板”),更换工艺时无需手动调节模块参数,仅需在主控端调用模板即可完成匹配参数切换,大幅缩短工艺切换时间(≤5 分钟)。同时兼容第三方射频电源(如 Advanced Energy RF Power Supply),通过标准化射频接口(N 型接头)可直接对接,无需额外适配模块,简化设备集成流程。此外,模块支持 SEMI E10 标准(设备状态与控制),可与半导体工厂 MES 系统(如 SAP、Oracle MES)对接,上传匹配状态数据与故障信息,便于工厂级工艺追溯与设备管理。

5. 洁净室运维便捷性设计

模块采用 “前维护式结构 + 防静电接口” 设计,所有外部接口(射频接口、电源接口、通信接口)均布置在正面面板,维护时无需拆卸模块整体,仅需断开接口即可更换,适配半导体洁净室 “快速维护 + 低污染” 需求;外壳表面采用防静电涂层(表面电阻 10^6-10^9Ω),避免维护过程中静电放电损伤内部高频元件;同时支持远程参数配置与固件升级,通过 RS485 接口可修改匹配响应时间、功率保护阈值等参数,通过 EtherCAT 可升级模块固件,无需进入洁净室现场操作,降低洁净室污染风险与运维成本。


IV. 常见故障及解决办法

故障现象
可能原因
解决措施
1. 模块上电后无响应,指示灯不亮
1. 控制电压 / 驱动电压未接入或接线松动;2. 电源接口接触不良(如洁净室粉尘导致);3. 内部电源模块损坏(如稳压芯片烧毁)
1. 用万用表测量 DC 24V(控制端)、DC 48V(驱动端)供电线路通断,检查接线端子并重新紧固(需佩戴防静电手环操作);2. 用无尘布蘸取异丙醇清洁电源接口(避免液体进入模块内部),重新插拔接口确保接触良好;3. 若供电正常仍无响应,联系 LAM 授权维修人员检测内部电源芯片(如 TI TPS5430),更换损坏元件(需在洁净室维修间操作)
2. 射频匹配异常,反射功率过高(≥15%)
1. 刻蚀腔室漏气导致等离子体不稳定;2. 内部可变电容 / 电感机械卡阻;3. 射频采样电路故障(如耦合器损坏);4. 匹配参数模板错误(如工艺与模板不匹配)
1. 配合设备端进行腔室 leak test(泄漏测试),修复腔室密封件(如 O 型圈),确保腔室真空度达标;2. 断开模块电源,手动转动可变电容电机轴(需专用工具),检查是否卡阻,若卡阻,拆解模块清洁机械部件(需 LAM 认证工程师操作);3. 用射频功率计检测采样电路输出信号,若异常,更换射频耦合器(如 Mini-Circuits ZX47-250-S+);4. 在主控系统中核对工艺与匹配参数模板一致性,重新加载对应模板(如 “硅刻蚀模板”)
3. 匹配响应延迟,等离子体阻抗波动大
1. EtherCAT 通信链路故障(如网线接触不良);2. 内部步进电机驱动电路故障;3. 匹配响应时间参数设置过大;4. 射频采样频率过低
1. 检查 EtherCAT 网线接头,用无尘布清洁接口,更换备用网线(需符合 CAT6A 标准),测试通信周期是否≤1ms;2. 测量步进电机驱动电流(正常范围 0.5A-1A),若电流异常,更换驱动芯片(如 TI DRV8825);3. 通过 RS485 接口连接 LAM 配置软件,将匹配响应时间从默认 200μs 调整至 100μs(根据工艺需求);4. 检查射频采样电路晶振(10MHz),若频率偏移,更换晶振元件(如 TXC 10MHz)
4. 模块内部温度过高(≥55°C),触发过热保护
1. 洁净室通风不良,模块散热受阻;2. 内部散热风扇故障(如风扇卡阻);3. 射频功率长期接近额定值(1500W),散热负载过大;4. 温度传感器故障(如 NTC 热敏电阻漂移)
1. 检查刻蚀机台内部通风通道,清理防尘网(需无尘操作),确保气流通畅;2. 拆卸模块面板,检查散热风扇运转状态,若卡阻,更换同规格风扇(如 Sunon 5015 系列);3. 临时降低射频功率至 1200W 以下(需工艺端确认可行性),避免长期满负载运行,同时联系 LAM 优化散热设计;4. 用万用表测量温度传感器电阻(25°C 时约 10kΩ),若漂移过大,更换 NTC 热敏电阻(如 Murata NCP15WF104J03RC)
5. 远程无法监测参数,通信中断
1. RS485/EtherCAT 通信线路断路或接触不良;2. 通信参数配置错误(如 IP 地址、从站地址);3. 模块通信接口芯片损坏(如 EtherCAT 芯片);4. 主控系统通信软件故障
1. 用网线测试仪检测 EtherCAT 线路通断,用万用表测量 RS485 线路 A/B 端电阻(正常约 120Ω,含终端电阻),修复断路点;2. 核对模块与主控系统的通信参数(EtherCAT 从站地址默认 1-16,IP 地址需与主控在同一网段),通过 LAM 配置软件修正参数;3. 若线路与参数正常,更换通信芯片(如 Beckhoff AX5120 EtherCAT 芯片);4. 重启主控系统通信软件(如 LAM Process Monitor),或重新安装软件并更新至最新版本

联系方式

全国服务热线

15339537795

手 机:15339537795

QQ:2645963284

邮箱:2645963284@qq.com

地 址:贵州省安顺市西秀区北街街道虹山湖路42号虹山大酒店(百灵.希尔顿逸林酒店 )幢14层9号

扫一扫,加微信

Copyright © 2022-2023 贵州源妙自动化设备有限公司 版权所有 备案号:黔ICP备2022007086号-10